我国国产光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤

IT之家9月15日消息，工业和信息化部于9月9日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。

中国首台（套）重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

IT之家附上这两行信息截图如下：

晶圆直径

照明波长

分辨率

套刻

氟化氪（KrF）光刻机

300mm

248nm

≤110nm

≤25nm

氟化氩（ArF）光刻机

193nm

≤65nm

≤8nm

氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，产生深紫外光的准分子激光器。

目前来说，光刻机共经历了五代的发展，从最早的436波长，我国国产光刻机迎来里程碑式进步，套刻≤再到第二代光刻机开始使用波长365nmi-line，第三代则是248nm的KrF激光。第四代就是193nm波长的DUV激光，这就是ArF准分子激光。

图源：平安证券

ArF（氟化氩）准分子激光源光刻机，光源实际波长突破193nm，缩短为134nm，NA值为1.35，最高可实现7nm制程节点。

浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中，由于液体的折射率大于1，使得激光的实际波长会大幅度缩小。

套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”，按套刻精度与量产工艺1:3的关系，这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。

28纳米光刻机，是芯片中低端和中高端的分界线，意味着工业独立，中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。