存储市场吹响光刻机集结号

AI浪潮下，存储市场DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的方向发展，EUV光刻机担当重任。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV光刻机生产DRAM芯片，美光相对保守，不过也于今年将在1γ（1-gamma）制程进行EUV技术试产，三大原厂集结，存储市场EUV光刻机时代开启。

美光1γDRAM开启EUV试产

与其他半导体大厂相比，美光并不急于为DRAM芯片生产导入EUV（极紫外光）设备，其DRAM芯片产品皆采用DUV（深紫外光）光刻机制造。

近期，媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产，预计该制程技术于2025年进入大规模量产的阶段。

图片来源：美光

今年6月26日，美光最新（2024年3-5月）财报显示，该季公司营收68.11亿美元，环比增长17%，同比增长81.5%；Non-GAAP下，美光经营利润9.41亿美元；净利润7.02亿美元，环比增长47%。其中，DRAM收入约47亿美元，环比增长13%，营收占比约69%。

美光CEOSanjayMehrotra在财报会议上表示，1γ制程DRAM试产进展顺利，符合量产计划。现阶段，美光正在日本广岛工厂开发采用EUV光刻技术的1γDRAM制造技术，这也是首批1γ存储器的试产地。

美光DRAM技术路线图显示，1γ之后，美光也将在1δ工艺中采用EUV技术，同时美光在未来几年将发展3DDRAM的架构，以及用于DRAM生产的High-NAEUV光刻技术。

业界透露，HighNAEUV技术是EUV技术的进一步发展。NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，HighNAEUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。

EUV：存储大厂引领先进DRAM技术的关键

当前，DRAM先进制程不断朝10nm级别迈进，生产难度与生产设备也随之升级，因而存储大厂开始瞄准EUV光刻机。

据悉，DUV光刻使用193纳米波长，而EUV光刻使用13.5纳米波长，波长改善有助于绘制更精细的电路，从而可以在相同的表面积中存储更多的数据。使用EUV工艺制造的芯片尺寸虽小但功能强大，处理能力和生产率更强，从而使得智能手机、物联网设备和服务器等应用中的多功能性进一步提高。

得益于半导体制造技术和专业技能的积累，三星在部署EUV光刻机方面具备先发优势，是三大DRAM原厂中率先引用EUV光刻机生产DRAM芯片的厂商。

图片来源：三星

三星于2020年宣布已交付100万个基于EUV技术的10纳米级(D1x)DDR4（第四代双倍数据速率DRAM，同年，三星正式启动华城厂区极紫外光刻（EUV）专用V1生产线。2021年10月，三星宣布开始量产14nmEUVDDR5DRAM。随后，三星一直批量生产使用EUV技术的特定产品。

进入2024年，存储市场吹响光刻机集结号媒体报道三星计划进一步扩大EUV工艺，今年年底前实现1cnm（对应美光1γnm）制程的量产，这有望提升EUV使用量，在减小线宽、提升速率同时带来更好能效。

结语

存储产业中，DRAM制程技术正不断向10nm级别靠近，甚至未来有望突破10nm以下，这一过程中，EUV光刻技术也将在未来发挥更加重要的作用。随着美光1γDRAM开启EUV时代，三星等存储大厂继续深耕EUV，未来EUV光刻机有望在DRAM生产中迎来属于它的高光时刻。